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BALLUFF BSP005T
BALLUFF BES 113-356-SA6-S4
BALLUFF BES 113-356-SA6-PU-03
BALLUFF BES 113-356-SA31-S4
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SINCRO END4000
Sincro ENDOSCOPIO MOD. END4000
distrelec RF 7796.005R1.3
以硅单晶为基本材料的P1N1P2N2四层三端器件,起始于1957年,因为它的特性类似于真空闸流管,所以上通称为硅晶体闸流管,简称晶闸管T,又因为晶闸管初的在静止整流方面,所以又被称之为硅可控整流元件,简称为可控硅SCR。
电力调整器与带0-5V、4-20mA的智能PID调节器或PLC配套使用;主要用与工业电炉的加热控制、大型风机水泵软启动节能运行控制、。负载类型可以是三相阻性负载、三相感性负载及三相变压器负载;三相负载可以是中心接地负载、中心不接地负载、内三角形负载及外三角形负载。
在性能上,可控硅不仅具有单向导电性,而且还具有比硅整流元件(俗称"死硅")更为可贵的可控性。它只有导通和关断两种状态。
可控硅能以毫安级电流控制大功率的机电设备,如果超过此功率,因元件开关损耗显著增加,允许通过的平均电流相降低,此时,标称电流应降级使用。
可控硅的优点很多,例如:以小功率控制大功率,功率放大倍数高达几十万倍;反应极快,在微秒级内开通、关断;无触点运行,无火花、无噪音;效率高,成本低等等。
可控硅调压器简称晶闸管调功器,又称晶闸管调功器、晶闸管调压器、晶闸管调整器、可控硅调功器、可控硅调整器。是一种以可控硅为基础,以控制电路为核心的电源功率控制电器。
不管可控硅的外形如何,它们的管芯都是由P型硅和N型硅组成的四层P1N1P2N2结构。见图1。它有三个PN结(J1、J2、J3),从J1结构的P1层引出阳极A,从N2层引出阴级K,从P2层引出控制极G,所以它是一种四层三端的半导体器件。
Thyro-A 2A 400-280HFRLP1调功器AEG