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热电阻测温是基于金属导体的电阻值随温度的增加而增加这一特性来进行温度测量的。
传感器(图6)
热电阻大都由纯金属材料制成,应用多的是铂和铜,此外,已开始采用镍、锰和铑等材料制造热电阻。
热电阻传感器主要是利用电阻值随温度变化而变化这一特性来测量温度及与温度有关的参数。在温度检测精度要求比较高的场合,这种传感器比较适用。较为广泛的热电阻材料为铂、铜、镍等,它们具有电阻温度系数大、线性好、性能稳定、使用温度范围宽、加工容易等特点。用于测量-200℃~+500℃范围内的温度。
热电阻传感器分类:
1、NTC热电阻传感器:
该类传感器为负温度系数传感器,即传感器阻值随温度的升高而减小。
2、PTC热电阻传感器:
该类传感器为正温度系数传感器,即传感器阻值随温度的升高而增大。
利用激光技术进行测量的传感器。
,并将其转化为相应的电信号。
霍尔电压随磁场强度的变化而变化,磁场越强,电压越高,磁场越弱,电压越低。霍尔电压值很小,通常只有几个毫伏,但经集成电路中的放大器放大,就能使该电压放大到足以输出较强的信号。若使霍尔集成电路起传感作用,需要用机械的方法来改变磁场强度。下图所示的方法是用一个转动的叶轮作为控制磁通量的开关,当叶轮叶片处于磁铁和霍尔集成电路之间的气隙中时,磁场偏离
霍尔传感器是根据霍尔效应制作的一种磁场传感器,
传感器(图8)
广泛地应用于工业自动化技术、检测技术及信息处理等方面。霍尔效应是研究半导体材料性能的基本方法。通过霍尔效应实验测定的霍尔系数,能够判断半导体材料
弱的光信号,并将其转化为相应的电信号。
利用激光的高方向性、高单色性和高亮度等特点可实现无接触远距离测量。激光传感器常用于长度(ZLS-Px)、距离(LDM4x)、振动(ZLDS10X)、速度(LDM30x)、方位等物理量的测量,还可用于探伤和大气污染物的监测等。
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